13、嵌入式系统的评价方法：测量法和模型法
（1
）测量法是最直接最基本的方法，需要解决两个问题：
A
、根据研究的目的，确定要测量的系统参数。
B
、选择测量的工具和方式。
（2
）测量的方式有两种：采样方式和事件跟踪方式。
（3
）模型法分为分析模型法和模拟模型法。分析模型法是用一些数学方程去刻画系统的模型，而模拟模型法是用模拟程序的运行去动态表达嵌入式系统的状态，而进行系统统计分析，得出性能指标。
（4
）分析模型法中使用最多的是排队模型，它包括三个部分：输入流、排队规则和服务机构。
（5
）使用模型对系统进行评价需要解决
3
个问题：设计模型、解模型、校准和证实模型。
接口技术
1. Flash存储器
（1
）
Flash
存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为
NOR Flash
和
NAND Flash
两种。
（2
）
Flash
存储器的特点：
A
、区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。
B
、先擦后写：
Flash
的写操作只能将数据位从
1
写成
0
，不能从
0
写成
1
，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为
1
。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。
C
、操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令（
NOR Flash
）或者完成一段时序（
NAND Flash
）才能将数据写入。
D
、位反转：由于
Flash
的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。
E
、坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。
（3
）
NOR Flash
的特点：
应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM
中运行。
NOR Flash
的传输效率很高，在
1MB~4MB
的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
（4
）
NAND Flash
的特点
能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的U
盘都使用
NAND Flash
作为存储介质的原因。应用
NAND Flash
的困难在于闪存需要特殊的系统接口。
（5
）
NOR Flash
与
NAND Flash
的区别：
A
、
NOR Flash
的读速度比
NAND Flash
稍快一些。
B
、
NAND Flash
的擦除和写入速度比
NOR Flash
快很多。
C
、
NAND Flash
的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。
D
、
NOR Flash
带有
SRAM
接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND Flash
的地址、数据和命令共用
8
位总线（有写公司的产品使用
16
位），每次读写都要使用复杂的
I/O
接口串行地存取数据。
E
、
NOR Flash
的容量一般较小，通常在
1MB~8MB
之间；
NAND Flash
只用在
8MB
以上的产品中。因此，
NOR Flash
只要应用在代码存储介质中，
NAND Flash
适用于资料存储。
F
、
NAND Flash
中每个块的最大擦写次数是一百万次，而
NOR Flash
是十万次。
G
、
NOR Flash
可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码；
NAND Flash
需要特殊的
I/O
接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在
NAND Flash
上自始至终必须进行虚拟映像。
H
、
NOR Flash
用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪存；
NAND Flash
则用于对存储容量要求较高的
MP3
、存储卡、
U
盘等领域，被成为数据闪存信盈达嵌入式企鹅要妖气呜呜吧久零就要
。
2、RAM存储器
（1
）
SRAM
的特点：
SRAM
表示静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由触发器构成基本单元，集成度低，每个
SRAM
存储单元由
6
个晶体管组成，因此其成本较高。它具有较高速率，常用于高速缓冲存储器。
通常SRAM
有
4
种引脚：
CE
：片选信号，低电平有效。
R/W
：读写控制信号。
ADDRESS
：一组地址线。
DATA
：用于数据传输的一组双向信号线。
（2
）
DRAM
的特点：
DRAM
表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而
DRAM
器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新，从而将数据保存在存储器中。
DRAM
的接口比较复杂，通常有一下引脚：
CE
：片选信号，低电平有效。
R/W
：读写控制信号。
RAS
：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。
CAS
：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。
ADDRESS
：一组地址线。
DATA
：用于数据传输的一组双向信号线。
（3
）
SDRAM
的特点：
SDRAM
表示同步动态随机存取存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储器阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。它通常只能工作在
133MHz
的主频。
（4
）
DDRAM
的特点
DDRAM
表示双倍速率同步动态随机存取存储器，也称
DDR
。
DDRAM
是基于
SDRAM
技术的，
SDRAM
在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而
DDR
内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。在
133MHz
的主频下，
DDR
内存带宽可以达到
133×64b/8×2
＝
2.1GB/s
。
## 3
、硬盘、光盘、
CF
卡、
SD
卡
全部回复（7 ）
只看楼主 我来说两句-
a317630398
沙发
谢谢楼主的分享！
2017-10-29 21:23:29
赞同0
-
duyiwuer11
板凳
遒琨 发表于 2017-9-20 15:36 不错，谢谢分享！客气了，也是学嵌入式的吗？
2017-09-21 09:54:21
赞同0
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