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开关电源模块EMI抑制方法的介绍

发布于：2015-07-22 22:43:22 来自：电气工程/供配电技术 [复制转发]

给大家介绍一下EMI抑制的相关操作。

20-30MHZ，

①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；

②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；

③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

④改变PCB LAYOUT；

⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；

⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。

⑨可以用增大MOS驱动电阻.

30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。

①可以用增大MOS驱动电阻；

②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；

③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；

④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；

⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；

⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

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