半导体芯片的废水调试问题请教

　　我目前在半导体芯片的废水的调试，废水的设计水量1200m3/hr，目前进水量35m3/hr,进水 COD=450-500，BOD=150-180，PH=3.5-4，氮，磷需另外投加。
工艺流程：调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积 400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题，向各位请教：
　　1、接触氧化工艺，溶解氧控制的范围多少是合适的，在这个范围内，溶解氧高低相应会有什么影响，比如去除效率、出水的清澈度等等;
　　2、运行中出现大量白色泡沫，泡沫是因为什么物质产生的，又是什么原因导致这类物质的产生，如何从根本上消除;
　　3、接触氧化的负荷什么范围是合适的?负荷的高低，对应着系统的出水水质变化有什么样的关系?
　　4、填料上大量红斑(票页)虫生长，其次是线虫，占据了填料附着物中的相当大部分，正常吗?谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的，请留下宝贵经验;
　　5、出水水质混浊，滤纸过滤后，清澈，有大量细小絮体，难以沉降，什么原因导致，应采取什么措施?
　　6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何?(系统进水中可能含有这类物质)
　　请有经验的同行，发表你的看法。