IS65LV256AL芯片解密技术方案开发

ISSI系列芯片IS65LV256AL解密便是一典型案例。
　　IS65LV256AL 概述
　　ISSI的IS65LV256AL是一个32Kx8位字长的超高速，低功耗CMOS SRAM。IS65LV256AL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，使得IS65LV256AL的存取时间可快至15ns。
　　当/CE处于高电平（未选中）时，IS65LV256AL进入待机模式。在此CMOS输入标准的待机模式下，功耗低至150 μW(典型值)。
　　使用IS65LV256AL的低触发片选引脚（/CE），可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。
　　IS65LV256AL 特性
　　●高速率
　　·存取时间：20ns,45ns
　　·未被选中时自动掉电
　　·全静态操作：不需时钟或刷新
　　·输入输出兼容TTL标准
　　·独立3.3V供电
　　·三态输出
　　●低功耗操作
　　·CMOS低功耗操作
　　- 17μW（典型值）CMOS待机模式
　　- 50mW（典型值）操作功耗
　　●工业标准
　　·无铅环保
　　·可选工业级和军工级温度
　　·SOJ28,SOP28,TSOP1-28封装
本资料由芯片解密网整理编辑： http://www.pcbmy.com