内存先优化 提高性能玩游戏

在电脑的众多配件中，内存是换代相对缓慢的硬件之一。当内存开始迈向DDR2时代的时，我们并不愿意丢弃伴随许久的DDR，毕竟换代并不容易，牵一发而动全身。不过在“老爷车”上玩现在高要求的游戏，还真有点累，在无止境的容量提升之后，一些游戏玩家开始“冒险”，依靠内存超频来提升性能。其实大可不必费此周折，通过对内存参数一系列的调节优化，也会达到提升性能的目的，而这恰恰是很多玩家所忽略的。

　　除了容量与频率外，我们很少回去关心“X-X-X-X”这样一组参数，而这正是决定内存性能很重要的参数，也可以通过BIOS中适当的调节实现性能的改变。这一组参数所表示的就是内存的CL-tRCD-tRP-tRAS，其中CL(CAS Latency)为内存读写操作前列地址控制的潜伏时间，目前常见数字为“2”，随着nForce4平台的出现，CL开始增加“1.5”的设置项;tRCD(RAS-to-CAS Delay)为行寻址到列寻址延迟时间，从“2”～“5”，当然越小性能越好;tRP(RAS Precharge Time)为内存行地址控制器预充电时间，有“2”、“3”、“4”几个规格，数字越小，内存读写速度越快;tRAS(RAS Active Time)为内存行有效至预充电的最短周期，nForce系列平台已经有“1”～“15”的设置项。