知识点:绝对地短路
如何损坏电机控制器中的IGBT模块?
我们将其分为以下四类:
a类:Vce过压
Vge过压
过高的dv/dt
静电(ESD)
b类:过流(Over-current)
短路(Short-circuit)
过高的di/dt
c类:Tj(结温)>175℃(具体根据芯片手册)
Tcase(壳温)< -40℃
d类:温度循环(Thermal cycling)
温度冲击(Thernal shock)
功率循环(Power cycling)
振动(Vibration)
但是IGBT驱动器所能保护的项目非常有限;“Vce过压”、“Vge过压”、“过高的dv/dt”、“短路”、“过高的di/dt”可以通过IGBT驱动器进行有效的保护,保护措施在之前的文章中《浅谈IGBT的驱动设计几个基本问题》有提到。
今天我们着重探讨下这其中的“短路”的相关问题。
电机控制器短路可以分为两类:桥臂内短路和桥臂间短路。
桥臂内短路(直通)
命名为“一类”短路
硬件失效或软件失效
短路回路中的电感量很小(100nH)
可以使用Vcesat 检测
桥臂间短路(大电感短路)
命名为“二类”短路
相间短路或相对地短路
短路回路中的电感量稍大(uH级别的)
可以使用Vcesat检测,也可以使用霍尔,根据电流变换率来定
这类短路的回路中的电感量是不确定的
演算如下:
IGBT发生短路时,描述短路电流的数学表达式如下,它表示,在短路发生时,电流的绝对值与电压、回路电感,及整个过程持续的时间有关系。
绝大部分的短路,母线电压都是在额定点的,影响短路电流因素主要是“短路回路中的电感量”。因此对短路行为进行分类定义时,短路回路中的电感量是主要的分类依据。
如果短路回路中的电感量再继续增大,那么电流变换率就变得更低,此时就不是短路了,变成“过流”。IGBT的驱动器是觉察不到这种异常状态的,因为
此在系统中增加电流传感器来感知电流的绝对数值,从而进行过流保护。所以,IGBT驱动器是不能进行过流保护的。
二类保护和过流之间没有明显的界限,学术上没有进行定义,在工程上,可以做一个粗略的经验界定:10A/us以下的电流变化率视为“过流”。
那么过流失效和短路失效的有什么区别?
上面我们谈到,短路我们分为一类及二类两种,它们有一个共同点:IGBT会出现“退饱和现象”,当IGBT一旦退出饱和区,它的损耗会成百倍的上升,那么允许这种状态的持续时间非常苛刻,只有10us,IGBT驱动器可以发现这一行为并关掉门级。
IGBT过流的情况则是,回路电感很大,电流爬升很慢(相对于短路),IGBT不会发生退饱和的现象,但是由于电流比正常工况高很多,因此经过若干个开关周期后,IGBT损耗会比较高,结温会迅速上升,从而导致失效。在这时,IGBT驱动器一般是不能及时发现这一现象的,因为IGBT的退饱和压降的变化很微弱,驱动器通常识别不到这种变化。
一类保护:
说明:发生一类保护时,IGBT的电流会快速上升,当电流上升到一定数值时(有的厂家推荐4倍额定电流,其实并没有实际意义),IGBT会发生退饱和现象,其标志是IGBT的电压会迅速上升至直流母线电压。当IGBT退出饱和区后,IGBT的电流为4倍额定电流(此数值一般来源于芯片厂家推荐,但是实际工程中一般由设计师设定)。此时IGBT电压为母线电压,IGBT芯片的损耗非常巨大。工程上设计一般短路检测不会超过10us(实际应用中,要根据大量测试数据进行标定)。如果芯片厂家对短路电流和检测时间有明确约束时,应该按照芯片厂家要求进行驱动开发和设计,例如:infineon的 FS820R08A6P2B就有如下描述。
二类保护:
说明:发生二类短路时,由于回路的电感稍大,电流爬升速度慢一些,(但是实际上还是在us级别的,还是很快的),门级脉冲打开时,IGBT的Vce下降至饱和压降,随着电流进一步加大,饱和压降轻微上升,当电流到达“退饱和点”时,Vce迅速上升至直流母线电压,我们把Vce上升的过程称为“退饱和”行为。当IGBT退出饱和区后,其损耗要比未退饱和前高数百倍,因为Vce电压从几伏上升至几百伏,而电流则没有明显变换。
之前谈过二类保护和过流是没有明确的界限的,短路时回路中不确定的电感量,造成Vcesat检测法在二类保护中毫无解决办法。
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只看楼主 我来说两句 抢板凳看一下。。学习下这方面的内容
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