当然,对于LED封装来说,与寿命相关的因素还包括材料的特性。比如封装胶材的透光率的下降,各光学材料的反射率降低等等,都会造成整体器件的光衰减。而这里影响最大的还是热影响。
图1:光灯管的热阻构成对比
图2:模组光源光谱构成分析
图3:LED生产方式构成对比
图4:成本与操作电流的关系
图5:模组产品的简单装配
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照明工程
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分析提高取光效率降热阻功率型LED封装技术超高亮度LED的应用面不断扩大,首先进入特种照明的市场领域,并向普通照明市场迈进。由于LED芯片输入功率的不断提高,对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求:一是封装结构要有高的取光效率,其二是热阻要尽可能低,这样才能保证功率LED的光电性能和可靠性。 半导体LED若要作为照明光源,常规产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,LED要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有:
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