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浅谈线性稳压电路的研究设计(下)

发布于:2015-09-18 22:09:18 来自:电气工程/供配电技术 [复制转发]
3 LDO 整体仿真结果与讨论
我们基于HHNEC 0.35um BCD 工艺下,采用cadence 和Hspice 仿真软件对整体电路做仿真,如图6 所示为LDO 环路稳定性仿真曲线。
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图6 LDO 环路稳定性仿真曲线

(a) 图为负载电流为50mA 时,LDO 环路增益为50dB、单位增益带宽为470KHZ、相位裕度为74degree。(b)图为负载电流为0 时,LDO 环路增益为63dB、单位增益带宽为1KHZ、相位裕度为87degree。图7 给出了该LDO 的线性调整率曲线,仿真条件为C L="1"μF, 由仿真曲线可以看出该LDO 的线性调整率为:
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图7 CL="1"μF 线性调整率曲线

图8 给出了该LDO 的负载调整率曲线,仿真条件为CL=1μF, 由仿真曲线可以看出该LDO 的负载调整率为:
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图8 CL="1"μF 负载调整率曲线

图9 给出了该LDO 的电源抑制比仿真曲线,仿真条件为IL=1mA。从该曲线可以看出,该LDO 的PSRR 在1KHZ时为- 60dB。
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图9 电源抑制比仿真曲线

4 结论
本文提出的这款LDO 线性稳压器,能保证在μF 级别的寄生电容范围内都可以正常工作。
该LDO 的静态电流低至10μA,文中同相放大器的引入,提高了整个LDO 的带宽。从仿真结果可以看出,在负载电流Iload=50mA 时,带宽为470KHz。
该LDO 其它各方面指标都满足设计要求。

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这个家伙什么也没有留下。。。

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1 引言 随着集成电路规模的发展, 电子设备的体积、重量和功耗越来越小, 这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能提出了越来越高的要求。而随着片上系统(SOC) 的不断发展, 单片集成的LDO 线性稳压器的应用也越来越广泛[1]。对于片内的LDO,最担心的是寄生电容过大引起不稳定,论文针对片内应用而设计的这款LDO,能保证在uF 级别的寄生电容范围内都可以正常工作,毕竟寄生电容再大也不至于是μF 级别的。功耗是LDO 线性稳压器的重要指标之一,一般的LDO 功耗都在几十μA 以上,例如文献[2]中电路的静态电流为38μA,文献[3]中静态功耗高达65μA, 而本文的静态功耗做到10μA 左右,不仅功耗低,本文中第二级靠电阻的电流关系提供了一个小增益级,并且提高了整个LDO的带宽。

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