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浅述第2代FS SA T IGBT对单端谐振逆变器的作用高压IGBT的性能显著提高。现今最常用的IGBT技术是场截止IGBT(FS IGBT)技术，它结合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT结构的优点，同时克服了两者的缺点。FS IGBT在导通状态时提供较低的饱和压降VCE(sat)，在关断时刻提供较低的开关损失。但由于传统的IGBT不含有固有体二极管，所以大多数开关应用通常将其与额外FRD封装在一起。本文将介绍飞兆半导体的第2代1400V场截止Shorted Anode沟道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有体二极管)在感应加热(IH)系统中的应用，并注重介绍它在单端(SE)谐振逆变器中的效率等特性。
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只看楼主 我来说两句 抢板凳