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静电高度敏感区电子器件的ESD防护

发布于：2015-06-25 15:47:25 来自：电气工程/成套电气设备 [复制转发]

生产车间设备的防静电措施一般应优先选用静电放电(ESD)敏感度应不低于2级的电子元器件。若必须采用静电放电(ESD)敏感度为1级的元器件时，其保护电路应设置在仪器或设备的最低层次上，并要求静电放电(ESD)电压值应不低于2级。

　　防静电通常采取以下措施：

　　1.MOS器件所有不同的输入端引线不能悬空，应视不同电路接到电源地、电源(源极)Vss或电源(漏极)VDD上。

　　2.在MOS器件的每个输入端外部串联电阻器。

　　3. CMOS器件的输出端(模拟开关除外)可用一个电阻器把每个输出端与电缆线路隔开，并用两个高速开关二极管把电路钳位在Vss或VDD上。

　　4.使用长输入电缆时，应采用滤波网络。

　　5.在静电放电(ESD)敏感双极元器件的输入端，外接由一个电阻值较大的电阻器和一个容量不小于100pF的电容器组成的RC网络，以降低静电放电(ESD)的影响。当电路特性有规定时，也可用两个并联二极管在每个极性上钳位0.5V电压，将输入分流到地。

　　6.不准将安装在印制电路板上的静电放电(ESD)敏感元器件的引线，不经任何保护电路直接与电连接器端子相连。

电子器件

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　　在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。　　对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD的冲击，并继续正常工作。　　ESD保护方法为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建ESD保护架构。不过，日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV等级的ESD保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出：真正有效的ESD保护是不能完全集成到CMOS芯片之中的！

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