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32位ARM嵌入式处理器的调试技术解析

发布于:2012-09-28 10:09:28 来自:电气工程/工业自动化 [复制转发]
  随着对高处理能力、实时多任务、网络通信、超低功耗需求的增长,传统8位机已远远满足不了新产品的要求,高端嵌入式处理器已经进入了国内开发人员的视野,并在国内得到了普遍的重视和应用。ARM内核系列处理器是由英国ARM公司开发授权给其他芯片生产商进行生产的系统级芯片。目前在嵌入式32位处理器市场中已经达到70%的份额。笔者在对三星公司的ARM7芯片技术调试的过程中,对这些高端嵌入式系统的调试技术进行了总结。
  传统的调试工具及方法存在过分依赖芯片引脚、不能在处理器高速运行下正常工作、占用系统资源且不能实时跟踪和硬件断点、价格过于昂贵等弊端。目前嵌入式高端处理器的使用渐趋普及。这些处理器常常运行在100MHz,并且一些内部控制以及内部存储器的总线信号并不体现在外部引脚上。这种片上系统(System on Chip)、深度嵌入、软件复杂的发展趋势给传统的调试工具带来了极大的挑战,也给嵌入式处理器开发工程师的工作带来了不便,这就需要更先进的调试技术和工具进行配套。本文将详细介绍在ARM处理器中采用的几种片上调试技术(on-chip debugger)。这些片上调试技术通过在芯片的硬件逻辑中加入调试模块,从而能够降低成本,实现传统的在线仿真器和逻辑分析仪器的功能,并在一定的条件下实现实时跟踪和分析,进行软件代码的优化。
www.pcbmy.com

全部回复(2 )

只看楼主 我来说两句抢地板
  • cyglove
    cyglove 沙发
    新手进来学些。。虽然看不太懂!!
    2012-09-29 15:16:29

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    赞同0
  • kmcoolb
    kmcoolb 板凳
    读了,谢谢!
    2012-09-28 10:36:28

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    赞同0
这个家伙什么也没有留下。。。

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  1、芯片发热  这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0。6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf),其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是考虑更好的散热吧。

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