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【请问】关于电容补偿柜内的复合开关问题

发布于：2012-02-24 10:36:24 来自：电气工程/成套电气设备 [复制转发]

最近电容柜老是发现这几个问题
1.现场无负载或轻载，电容器容量比较大，投入瞬间复合开关中的可控硅击穿，是否有个合闸过压问题
2.有的电容柜中会接电抗器，电容投入后电压会增加，也容易造成可控硅的击穿。
因为我们在现场遇到这样的问题后，把电抗器去掉后怎么投切都没问题。
因为可控硅的动态指标DV/DT无法测试，同行业的是否也存在这个问题，可控硅的这个指标怎么去定位，是否可以加强

电容补偿柜

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全部回复（9 ）

只看楼主我来说两句

yabingeng 沙发

可以适当的放大些可控硅的电压倍数，我是做可控硅的，有兴趣的话加我QQ:330673039

2013-11-24 04:47:24
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xianxian5201314 板凳

2012-03-15 15:40:15
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