【求助】请帮我分析电容补偿开关烧坏，可控硅击穿原因

今年做很多的补偿啊 采购了一种以往运行也很好的电容投切的复合开关（去年我大量的采用过啊）。
我的电容补偿柜的结构式“微断+电子复合开关+限流电抗器+电容器”共补模式。
电子复合开关的控制信号我采用的是直流12v。控制器我采用的是ABB RVC功率因数控制器。
几天前我去现场投运设备和补偿设备啊。送电之前都检查完毕，然后送电，电子开关指示正常。然后调节控制器的参数，手动的投切电容器，12路循环一遍的时候 第10路的电子复合开关出现可控硅直接击穿了 下端电容器的指示灯常亮了。（过后我拆开电子复合开关看到了可控硅击穿了）。我跟换了新的电子复合开关啊。接着我又一次的手动循环投切电容，但是这次却又发现有两个回路的电子复合开关和上一个坏的电子复合开关一样的现象。（均是可控硅击穿），这个两个坏的回路是第一次手动投切正常的回路啊。
我的电容柜是16KVAR 系统电压是400V的 当时的额定电压也就396V左右啊。设备出厂之前都是送电过的。
大家帮我分析一下，什么原因能出现那种电子复合开关坏了，但还都是可控硅击穿啊。 因为我是共补所以电子复合开关内部采用是双元件啊 就是A,C两相是可控硅 B相是通过瓷片电容。就是这么一个结构啊，急求高手指点一下。现场的谐波电压畸变率不超过5%