半导体与PN结

扩散电容CD在二极管正向导电的过程中，从P区经过PN结扩散到N区的空穴，由于来不及立即与N区中的电子复合掉，因而开始时要在N区靠近PN结的附近，有一定程度的积累；同样，从N区经过PN结扩散到P区的电子，也会在P区靠近PN结的附近，有一定程度的积累。这种积累的程度，也会随着外加正向电压的大小，或者说随着扩散电流的强弱，而有所增减。这也是一种"存""放"电荷的作用。通常把这种由扩散过程形成的电容叫扩散电容，扩散电容的影响与PN结电容差不多。在外加变化电压的作用下，势垒电容CT和扩散电容CD的充放电电流在外电路是迭加的。因此，势垒电容和扩散电容是并联关系。所以PN结的总电容为Cj=CT+CD。当PN结正向阳花运用时，扩散电容要比阻挡层电容大得多，可以近似地认为是扩散电容CD起作用。而在PN结反向运用时，扩散电容近似为零，可只考虑势垒电容CT的影响。

PN结势垒电容的存在，相当于在PN结两侧之间并联了一个电容。我们知道，直流电是不能通过电容的。但是高频交流电却可以通过它。如果有很大一部分高频交流电流直接通过PN结电容，那么PN结将失去单向导电性。