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ST无源器件集成技术取得新突破ST无源器件集成技术取得新突破 电容密度提高50倍 2005-11-8 这篇文章被阅读了< 4 >次 意法半导体(ST)日前首次公布了一项关于在薄膜无源器件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术的细节，这项新技术大幅度扩展了ST的IPAD(集成无源及有源器件技术)的功能，允许集成电容密度高于30nF/mm2的电容器，比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。
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全部回复（28 ）
只看楼主 我来说两句-
diankon
沙发
感谢楼主的无私奉献精神.
2007-11-26 21:37:26
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hxlyayd
板凳
xiexieile!!
2007-11-02 10:49:02
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