阅读下一篇
ST推出首个90纳米工艺 128M NAND闪存日期：2005年09月16日 闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒(STB)、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-Mbit NAND闪存。
回帖成功
经验值 +10
全部回复（34 ）
只看楼主 我来说两句-
rocket4
沙发
:handshake 多谢
2009-09-27 20:09:27
赞同0
-
xincai
板凳
特想看看，同时也十分感谢
2009-06-20 18:10:20
赞同0
加载更多回复 举报
回复 举报