接触氧化工艺调试中的一些疑问

我目前在半导体芯片的废水的调试，废水的设计水量1200m3/hr，目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500，BOD=150-180，PH=3.5-4，氮，磷需另外投加。工艺流程：调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米（填料250立方米。采用立体填料）有以下问题，向各位请教：
1、接触氧化工艺，溶解氧控制的范围多少是合适的，在这个范围内，溶解氧高低相应会有什么影响，比如去除效率、出水的清澈度等等；
2、运行中出现大量白色泡沫，泡沫是因为什么物质产生的，又是什么原因导致这类物质的产生，如何从根本上消除；
3、接触氧化的负荷什么范围是合适的？负荷的高低，对应着系统的出水水质变化有什么样的关系？
4、填料上大量红斑（票页）虫生长，其次是线虫，占据了填料附着物中的相当大部分，正常吗？谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的，请留下宝贵经验；
5、出水水质混浊，滤纸过滤后，清澈，有大量细小絮体，难以沉降，什么原因导致，应采取什么措施？
6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何？（系统进水中可能含有这类物质）

请有经验的同行，发表你的看法。
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