2-5真空断路器技术的进步

近20年来，真空断路器有了很大的发展，这得益于真空断路器技术的进步。真空断路器技术的进步表现在大容量化、低过电压化、智能化和小型化。而这一进步又是由于真空技术、灭弧室技术的发展及采用新工艺、新材料及新操动技术的结果。
1、大容量化
真空断路器的容量已有很大的提高，完全能满足电力发展的需要。目前，真空断路器的额定电流已达4000A，额定短路开断电流已高达12kV下63~70kA。东芝公司在实验室试制200kA。
真空断路器迈向大容量化，首先是由于触头结构的改进。触头结构的改进经历了平板触头--横磁场触头--纵磁场触头。平板触头的开断电流在8kA以下，横磁场触头将开断电流提高到40kA，而纵磁场触头又将开断电流大大提高，达到目前的63~80kA。东芝公司开创使用纵磁场触头，目前各大制造公司为提高开断电流也改横磁场触头为纵磁场触头。如西门子公司原先采用横磁场触头，改用纵磁场触头后将开断电流提高至70kA。ABB Calor Emag公司新开发出双极和四极纵磁场触头，将开断电流提高到63kA及以上。AEG公司也最新开发出纵磁场触头与横磁场触头相比，灭弧室体积减至1/3。
纵磁场触头有两种结构型式；一种是用装在灭弧室外围的线圈产生纵磁场，另一种是触头本身的特殊结构产生纵磁场。纵磁场时，电弧呈扩散形态分成许多细弧，均匀分布在整个触头表面。有利于提高开断电流和延长触头寿命。
触头材料的不断改进提高了开断性能，触头材料目前主要有两大体系：CuBi和CuCr。与CuBi相比，CuCr材料具有短路电流开断能力强、介质强度高、耐烧蚀、截流低等优点。目前世界上一些著名公司均采用CuCr触头材料，西门子公司一直采用CuCr触头材料，日本东芝公司原先采用CuBi触头材料，近年来也改用CuCr触头材料，将真空灭弧室推向高电压大容量。我国最初的触头材料也为CuBi材料，而现在均为CuCr触头材料。
触头材料直接影响截流水平，如CuBi材料的截流水平一般为10~12A，而CuCr材料将截流水平降至3~5A。
触头材料的熔炼也在不断改进之中，熔炼方法有混粉法、浸渍法以及最新出现的电弧熔炼法。
触头材料还在不断发展，在CuBi和CuCr之后又出现了更好的CuTa等材料。