AP5125外置MOS管平均电流型LED降压恒流驱动器

◆MOS 管选择 MOS 管耐压选择要高于 输入电压的 1.2 倍以 上； MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感最大峰值 电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越 小，损耗在 MOS 管上的功率也越小，系统转换的 效率越高。MOS 管阈值电压 VGS 要选择较低的阈 值电压值，芯片的电源工作电压决定了 DRV 驱动电 压，通常芯片的 驱动电压为 5.4V，所以要保证 MOS 管在 VGS 等于 5.4V 时能完全导通。 

◆PCB 设计注意事项 1：芯片 SW 端与续流二极管、功率电感的布线覆铜 尽可能长度短、线宽大。 2：芯片 SW 端与 CS 检流电阻的布线覆铜，CS 检 流电阻与输入电容 GND 的布线覆铜，都应尽可能 长 度短、线宽大。 3：芯片的 VDD 电容靠近芯片布局，VDD 电容的 GND 端与 CS 检流电阻 GND 端保持单点连接。 4：系统的输入电容尽可能靠近 AP5125 系统布局， 保证输入电容达到最好的滤波效果。