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半导体器件的ESD测试带电器件模型(CDM)及静电敏感度分级知识点:静电放电敏感度 一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联的自动化程度提高,人体接触器件的机会相对减少,带电器件ESD放电事件越来越成为微电子器件失效的主要原因之一。
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